Р Радиодар
NCE100TD120VTP - силовой IGBT транзистор (1200В, 100А, 19нс/170нс, 535.5÷1071Вт, TO-247P) - производство NCE
Арт. 11022553
76 в наличии
Актуально на 26 September

NCE100TD120VTP - силовой IGBT транзистор (1200В, 100А, 19нс/170нс, 535.5÷1071Вт, TO-247P) - производство NCE

Розн. цена
525 ₽
/
Опт. цена:472 ₽

История цены

АВГСЕН
Р
Радиодар
5
О магазине
Радиодар
76 в наличии
г. Краснодар, ул. Коммунаров, 29
Подробнее об адресе

Похожие товары от Радиодар

DXG25N120H - мощный IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-247) - производство Daxin
5
162 ₽
Опт.145 ₽
DXG25N120H - мощный IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-247) - производство Daxin
Радиодар
186 в наличии
В магазин
JNG25T120HS - транзистор структуры IGBT (1200В, 25А, TO-247) - производство JIAENSEMI
5
177 ₽
Опт.159 ₽
JNG25T120HS - транзистор структуры IGBT (1200В, 25А, TO-247) - производство JIAENSEMI
Радиодар
200 в наличии
В магазин
XNS25N120T - мощный IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-247) - производство Xiner
5
191 ₽
Опт.171 ₽
XNS25N120T - мощный IGBT транзистор (1200В, 25А, TO-247) - производство Xiner
Радиодар
134 в наличии
В магазин
JNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMI
5
134 ₽
Опт.120 ₽
JNG15T120HS - мощный IGBT транзистор (1200В, 15А, TO-247) - производство JIAENSEMI
Радиодар
494 в наличии
В магазин
JNG40T120HS - транзистор структуры IGBT (1200В, 40А, TO-247) - производство JIAENSEMI
5
247 ₽
Опт.222 ₽
JNG40T120HS - транзистор структуры IGBT (1200В, 40А, TO-247) - производство JIAENSEMI
Радиодар
312 в наличии
В магазин
Мы используем cookie для улучшения работы сайта